Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6E040XNTCR
RQ6E040XNTCR

RQ6E040XNTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ6E040XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.92 грн
10+ 32.33 грн
100+ 22.48 грн
500+ 16.48 грн
1000+ 13.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6E040XNTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RQ6E040XNTCR за ціною від 12.63 грн до 44.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ6E040XNTCR RQ6E040XNTCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6E040XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RQ6E040XN is the low on-resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.11 грн
10+ 38.29 грн
100+ 24.9 грн
500+ 19.54 грн
1000+ 15.1 грн
3000+ 13.47 грн
6000+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ6E040XNTCR RQ6E040XNTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E040XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товар відсутній