RQ6E030ATTCR ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 22.63 грн |
| 500+ | 16.39 грн |
| 1000+ | 10.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ6E030ATTCR ROHM
Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ6E030ATTCR за ціною від 10.38 грн до 42.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ6E030ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V |
на замовлення 1173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ6E030ATTCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -30V -3A Middle Power MOSFET |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ6E030ATTCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RQ6E030ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V |
товар відсутній |