![RQ6A050ZPTR RQ6A050ZPTR](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE6SOT457-40.jpg)
RQ6A050ZPTR ROHM
![datasheet?p=RQ6A050ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROHM - RQ6A050ZPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.019 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 39.5 грн |
500+ | 31.19 грн |
1000+ | 21.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ6A050ZPTR ROHM
Description: ROHM - RQ6A050ZPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.019 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RQ6A050ZPTR за ціною від 21.3 грн до 76.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RQ6A050ZPTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V |
на замовлення 2938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RQ6A050ZPTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RQ6A050ZPTR | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RQ6A050ZPTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 1.25W; TSMT6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5A On-state resistance: 88mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.25W Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: TSMT6 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
RQ6A050ZPTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
RQ6A050ZPTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 1.25W; TSMT6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5A On-state resistance: 88mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.25W Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: TSMT6 |
товар відсутній |