![RQ1E070RPTR RQ1E070RPTR](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4245/846~TSMT8~~8-Top.jpg)
RQ1E070RPTR Rohm Semiconductor
![datasheet?p=RQ1E070RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 36.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ1E070RPTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RQ1E070RPTR за ціною від 31.07 грн до 92.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RQ1E070RPTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V |
на замовлення 7987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RQ1E070RPTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RQ1E070RPTR |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
RQ1E070RPTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 1.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RQ1E070RPTR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 1.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |