![RN4988,LXHF(CT RN4988,LXHF(CT](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4849/264_6-TSSOP%2C%20SC-88%2C%20SOT-363.jpg)
RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
![RN4988_datasheet_en_20210824.pdf?did=18987&prodName=RN4988](/images/adobe-acrobat.png)
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.92 грн |
6000+ | 3.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: US6.
Інші пропозиції RN4988,LXHF(CT за ціною від 3.37 грн до 27.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RN4988,LXHF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RN4988,LXHF(CT | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|