![RN2910,LXHF(CT RN2910,LXHF(CT](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4849/264_6-TSSOP%2C%20SC-88%2C%20SOT-363.jpg)
RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
![datasheet_en_20211223.pdf?did=18911](/images/adobe-acrobat.png)
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.32 грн |
6000+ | 4.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: US6.
Інші пропозиції RN2910,LXHF(CT за ціною від 3.94 грн до 32.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RN2910,LXHF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RN2910,LXHF(CT | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|