RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF., Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-61AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SMQ, Part Status: Active.
Інші пропозиції RN2910,LF(CT за ціною від 2.4 грн до 21.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RN2910,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF. Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-61AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SMQ Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RN2910,LF(CT | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
на замовлення 8549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|