RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+6.45 грн
8000+ 5.59 грн
12000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: ESV.

Інші пропозиції RN2703JE(TE85L,F) за ціною від 3.51 грн до 34.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN2703JE(TE85L,F) RN2703JE(TE85L,F) Виробник : Toshiba RN2703JE_datasheet_en_20230724-1609087.pdf Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.8 грн
14+ 23.6 грн
100+ 8.36 грн
1000+ 5.55 грн
4000+ 4.78 грн
8000+ 3.8 грн
24000+ 3.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
RN2703JE(TE85L,F) RN2703JE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 31420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.97 грн
12+ 24.82 грн
100+ 14.07 грн
500+ 8.74 грн
1000+ 6.7 грн
2000+ 5.83 грн
Мінімальне замовлення: 9