![RN2510(TE85L,F) RN2510(TE85L,F)](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2581/SC-74A%2C%20SOT-753-PKG.jpg)
RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
![RN2510_datasheet_en_20191121.pdf?did=18892&prodName=RN2510](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SMV, Part Status: Active.
Інші пропозиції RN2510(TE85L,F) за ціною від 3.02 грн до 31.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RN2510(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SMV Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RN2510(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|