RN2416,LF Toshiba
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
на замовлення 8799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 13.33 грн |
26+ | 12.65 грн |
100+ | 6.7 грн |
500+ | 4.16 грн |
1000+ | 2.82 грн |
3000+ | 1.76 грн |
9000+ | 1.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2416,LF Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package.
Інші пропозиції RN2416,LF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RN2416,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
RN2416,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |