RN2109,LF(CT Toshiba
Виробник: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 16.15 грн |
| 25+ | 13.01 грн |
| 100+ | 6.04 грн |
| 500+ | 3.94 грн |
| 1000+ | 2.74 грн |
| 3000+ | 2.04 грн |
| 9000+ | 1.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2109,LF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.
Інші пропозиції RN2109,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2109,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
товар відсутній |
|
|
|
RN2109,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
товар відсутній |