![RN2109,LF(CT RN2109,LF(CT](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/PW_Mold_3_SMD_DSL.jpg)
RN2109,LF(CT Toshiba
![RN2109_datasheet_en_20210830-1627129.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 16.15 грн |
25+ | 13.01 грн |
100+ | 6.04 грн |
500+ | 3.94 грн |
1000+ | 2.74 грн |
3000+ | 2.04 грн |
9000+ | 1.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2109,LF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.
Інші пропозиції RN2109,LF(CT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
RN2109,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
RN2109,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товар відсутній |