![RN1902FE,LF(CT RN1902FE,LF(CT](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/ES6_6_DSL.jpg)
RN1902FE,LF(CT Toshiba
![RN1902FE_datasheet_en_20211223-1627356.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 27204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 18.72 грн |
22+ | 15.17 грн |
100+ | 6.99 грн |
500+ | 4.64 грн |
1000+ | 3.14 грн |
4000+ | 2.42 грн |
8000+ | 2.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1902FE,LF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.
Інші пропозиції RN1902FE,LF(CT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
RN1902FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
RN1902FE,LF(CT | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
RN1902FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товар відсутній |