Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1402,LF
RN1402,LF

RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.47 грн
6000+ 2.2 грн
9000+ 1.83 грн
30000+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN1402,LF за ціною від 1.64 грн до 16.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1402,LF RN1402,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 47680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.66 грн
31+ 9.66 грн
100+ 4.73 грн
500+ 3.7 грн
1000+ 2.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
RN1402,LF RN1402,LF Виробник : Toshiba RN1402_datasheet_en_20210830-1916012.pdf Digital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm
на замовлення 19668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+16.22 грн
31+ 10.74 грн
100+ 3.85 грн
1000+ 2.64 грн
3000+ 2.14 грн
9000+ 1.71 грн
24000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 21
RN1402,LF RN1402,LF Виробник : Toshiba rn1404_datasheet_en_20210830.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній
RN1402,LF RN1402,LF Виробник : Toshiba rn1404_datasheet_en_20210830.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній