RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage


RN1111MFV_datasheet_en_20181221.pdf?did=5881&prodName=RN1111MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 7278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.34 грн
35+ 8.54 грн
100+ 4.58 грн
500+ 3.37 грн
1000+ 2.34 грн
2000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 25
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN1111MFV,L3F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1111MFV,L3F RN1111MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1111MFV_datasheet_en_20181221.pdf?did=5881&prodName=RN1111MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
товар відсутній
RN1111MFV,L3F RN1111MFV,L3F Виробник : Toshiba RN1111MFV_datasheet_en_20181221-1115992.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
товар відсутній