RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 2.24 грн |
| 16000+ | 1.88 грн |
| 24000+ | 1.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-723 (VESM) package.
Інші пропозиції RN1108MFV,L3F за ціною від 2.25 грн до 14.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RN1108MFV,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
на замовлення 31576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RN1108MFV,L3F | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-723 (VESM) package |
на замовлення 16399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|