![RN1106MFV,L3F(CT RN1106MFV,L3F(CT](https://media.digikey.com/Renders/Toshiba%20Renders/VESM.jpg)
RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage
![docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 13.89 грн |
25+ | 12.18 грн |
100+ | 6.63 грн |
500+ | 3.83 грн |
1000+ | 2.61 грн |
2000+ | 2.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції RN1106MFV,L3F(CT за ціною від 1.64 грн до 13.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RN1106MFV,L3F(CT | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 45177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RN1106MFV,L3F(CT | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 13300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RN1106MFV,L3F(CT | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
RN1106MFV,L3F(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |