Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1102MFV,L3XHF(CT
RN1102MFV,L3XHF(CT

RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.14 грн
20+ 15.38 грн
100+ 7.5 грн
500+ 5.87 грн
1000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RN1102MFV,L3XHF(CT за ціною від 2.35 грн до 24.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1102MFV,L3XHF(CT RN1102MFV,L3XHF(CT Виробник : Toshiba RN1102MFV_datasheet_en_20210818-1760677.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
на замовлення 6995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.79 грн
20+ 16.89 грн
100+ 5.99 грн
1000+ 3.64 грн
8000+ 2.71 грн
24000+ 2.64 грн
48000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
RN1102MFV,L3XHF(CT RN1102MFV,L3XHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній