Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1102,LXHF(CT
RN1102,LXHF(CT

RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.06 грн
6000+ 3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SSM, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RN1102,LXHF(CT за ціною від 2.96 грн до 24.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1102,LXHF(CT RN1102,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.89 грн
20+ 15.21 грн
100+ 7.69 грн
500+ 5.88 грн
1000+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
RN1102,LXHF(CT RN1102,LXHF(CT Виробник : Toshiba RN1102_datasheet_en_20210830-2584091.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.52 грн
20+ 16.71 грн
100+ 6.07 грн
1000+ 4.44 грн
3000+ 3.53 грн
9000+ 3.1 грн
24000+ 2.96 грн
Мінімальне замовлення: 14