![RJK0655DPB-00#J5 RJK0655DPB-00#J5](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/756424404-40.jpg)
RJK0655DPB-00#J5 RENESAS
![1706841.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 119.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0655DPB-00#J5 RENESAS
Description: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RJK0655DPB-00#J5 за ціною від 78.75 грн до 219.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RJK0655DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics |
![]() |
на замовлення 11411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RJK0655DPB-00#J5 | Виробник : RENESAS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RJK0655DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics America |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
RJK0655DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics America |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
RJK0655DPB-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics America |
![]() |
товар відсутній |