RJ1P12BBDTLL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RJ1P12BBDTLL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0044 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 238.9 грн |
| 500+ | 208.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJ1P12BBDTLL ROHM
Description: ROHM - RJ1P12BBDTLL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0044 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 178W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RJ1P12BBDTLL за ціною від 171.5 грн до 412.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJ1P12BBDTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 50 V |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RJ1P12BBDTLL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET RJ1P12BBD is a Power MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching. |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RJ1P12BBDTLL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RJ1P12BBDTLL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0044 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RJ1P12BBDTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| RJ1P12BBDTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| RJ1P12BBDTLL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 178W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
RJ1P12BBDTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| RJ1P12BBDTLL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 178W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |