RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 212.09 грн |
| 66+ | 184.43 грн |
| 100+ | 176.23 грн |
| 500+ | 155.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 192W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 175nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 240A, Case: D2PAK, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 120A, On-state resistance: 4.1mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції RJ1L12BGNTLL за ціною від 169.56 грн до 496.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RJ1L12BGNTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RJ1L12BGNTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RJ1L12BGNTLL | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RJ1L12BGNTLL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 192W Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A Case: D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| RJ1L12BGNTLL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 240A; 192W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 192W Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A Case: D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |