![RJ1G08CGNTLL RJ1G08CGNTLL](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/578985645836eda4fe6051be90a62b72921a8f82/lptl.jpg)
RJ1G08CGNTLL Rohm Semiconductor
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
89+ | 136.27 грн |
100+ | 130.18 грн |
250+ | 124.95 грн |
500+ | 116.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJ1G08CGNTLL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 80A LPTL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: LPTL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V.
Інші пропозиції RJ1G08CGNTLL за ціною від 86.74 грн до 161.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RJ1G08CGNTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
RJ1G08CGNTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
RJ1G08CGNTLL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |