Технічний опис RHRP8120_F102 fairchild
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції RHRP8120_F102
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RHRP8120-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
RHRP8120-F102 | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 1.2KV 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
||
RHRP8120-F102 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RHRP8120-F102 - 8A, 1200V, HYPERFAST DIODE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
||
RHRP8120-F102 | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 1.2KV 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
||
RHRP8120-F102 | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
||
RHRP8120-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild | Rectifiers 1200V, 8A, HYPERFAST DIODE |
товару немає в наявності |