Продукція > ROHM > RHK003N06FRAT146
RHK003N06FRAT146

RHK003N06FRAT146 ROHM

rhk003n06frat146-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RHK003N06FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.7 ohm, SMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.38 грн
500+ 10.69 грн
1000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RHK003N06FRAT146 ROHM

Description: ROHM - RHK003N06FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.7 ohm, SMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RHK003N06FRAT146 за ціною від 6.15 грн до 35.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RHK003N06FRAT146 RHK003N06FRAT146 Виробник : ROHM rhk003n06frat146-e.pdf Description: ROHM - RHK003N06FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.7 ohm, SMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+30.36 грн
35+ 23.18 грн
100+ 12.38 грн
500+ 10.69 грн
1000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 26
RHK003N06FRAT146 RHK003N06FRAT146 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RHK003N06FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs N CHAN 4V
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.83 грн
14+ 23.28 грн
100+ 12.37 грн
1000+ 9 грн
3000+ 7.94 грн
9000+ 6.96 грн
24000+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
RHK003N06FRAT146 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RHK003N06FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Case: SMT3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RHK003N06FRAT146 RHK003N06FRAT146 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RHK003N06FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
товар відсутній
RHK003N06FRAT146 RHK003N06FRAT146 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RHK003N06FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
товар відсутній
RHK003N06FRAT146 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RHK003N06FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Case: SMT3
товар відсутній