RGWSX2TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns
Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 400.5 грн |
| 30+ | 234.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGWSX2TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 88 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns, Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 140 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 104 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 288 W.
Інші пропозиції RGWSX2TS65DGC13 за ціною від 289.81 грн до 588.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGWSX2TS65DGC13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 714-723 дні (днів) |
|