RGW80TS65CHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 81A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns
Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 81 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 897.92 грн |
| 30+ | 699.81 грн |
| 120+ | 658.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW80TS65CHRC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT 650V 81A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 33 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns, Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 81 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 214 W.
Інші пропозиції RGW80TS65CHRC11 за ціною від 523.63 грн до 971.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW80TS65CHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGW80TS65CHRC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 81A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|