RGW80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 314.37 грн |
| 30+ | 241.67 грн |
| 120+ | 223.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGW80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns, Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 39 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 81 W.
Інші пропозиції RGW80TK65DGVC11 за ціною від 222.2 грн до 336.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGW80TK65DGVC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|