RGTVX6TS65GC11 ROHM Semiconductor
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 523.33 грн |
| 10+ | 442.04 грн |
| 25+ | 320.2 грн |
| 250+ | 272.42 грн |
| 450+ | 264.58 грн |
| 900+ | 243.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTVX6TS65GC11 ROHM Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns, Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 171 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 144 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A, Power - Max: 404 W.
Інші пропозиції RGTVX6TS65GC11 за ціною від 394.69 грн до 547.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTVX6TS65GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 171 nC Current - Collector (Ic) (Max): 144 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A Power - Max: 404 W |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| RGTVX6TS65GC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 202W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-3 Pulsed collector current: 320A Turn-on time: 83ns Turn-off time: 298ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 202W Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Gate charge: 171nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
| RGTVX6TS65GC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 202W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-3 Pulsed collector current: 320A Turn-on time: 83ns Turn-off time: 298ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 202W Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Gate charge: 171nC |
товар відсутній |