RGTV80TS65GC11

RGTV80TS65GC11 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RGTV80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.61 грн
30+ 95.74 грн
120+ 78.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGTV80TS65GC11 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RGTV80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RGTV80TS65GC11 за ціною від 170 грн до 409.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RGTV80TS65GC11 RGTV80TS65GC11 Виробник : ROHM 3209043.pdf Description: ROHM - RGTV80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+406.73 грн
10+ 366.37 грн
25+ 299.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGTV80TS65GC11 RGTV80TS65GC11 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGTV80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+409.01 грн
10+ 339.08 грн
25+ 237.72 грн
250+ 210.91 грн
450+ 180.58 грн
900+ 170 грн