RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 280.04 грн |
| 10+ | 242.04 грн |
| 100+ | 198.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Case: TO247-3, Pulsed collector current: 100A, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 172ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 87W, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 25A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 49nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції RGTH50TS65DGC11 за ціною від 129.09 грн до 292.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGTH50TS65DGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
 IGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGTH50TS65DGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGTH50TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 50 A, 1.6 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 Verlustleistung Pd: 174 Bauform - Transistor: TO-247N Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 50 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| RGTH50TS65DGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-3 Pulsed collector current: 100A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 172ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 87W Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 49nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RGTH50TS65DGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-3 Pulsed collector current: 100A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 172ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 87W Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 49nC |
товар відсутній |