Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT8NS65DGC9
RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RGT8NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.63 грн
250+ 69.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT8NS65DGC9 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns, Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 13.5 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 65 W.

Інші пропозиції RGT8NS65DGC9 за ціною від 31.52 грн до 105.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RGT8NS65DGC9 RGT8NS65DGC9 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT8NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.18 грн
50+ 47.99 грн
100+ 42.78 грн
500+ 31.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
RGT8NS65DGC9 RGT8NS65DGC9 Виробник : ROHM 2818170.pdf Description: ROHM - RGT8NS65DGC9 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-262
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+105.89 грн
10+ 89.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
RGT8NS65DGC9 RGT8NS65DGC9 Виробник : Rohm Semiconductor rgt8ns65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)