![RGT60TS65DGC13 RGT60TS65DGC13](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/8308a490aba1a9ca226f19525830eaa515e25ef5/sct3080algc11.jpg)
RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 242.11 грн |
52+ | 232.88 грн |
100+ | 224.98 грн |
250+ | 210.36 грн |
500+ | 189.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT60TS65DGC13 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247G, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247G, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 194 W.
Інші пропозиції RGT60TS65DGC13 за ціною від 189.48 грн до 764.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RGT60TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RGT60TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RGT60TS65DGC13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247G IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 194 W |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RGT60TS65DGC13 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RGT60TS65DGC13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|