Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RGT40TM65DGC9
RGT40TM65DGC9

RGT40TM65DGC9 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RGT40TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
IGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.48 грн
10+ 198.74 грн
50+ 162.24 грн
100+ 138.96 грн
250+ 131.2 грн
500+ 123.44 грн
1000+ 100.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RGT40TM65DGC9 ROHM Semiconductor

Description: IGBT TRNCH FLD 650V 17A TO220NFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220NFM, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns, Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 40 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 17 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 39 W.

Інші пропозиції RGT40TM65DGC9 за ціною від 269.04 грн до 269.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RGT40TM65DGC9 RGT40TM65DGC9 Виробник : ROHM rgt40tm65d-e.pdf Description: ROHM - RGT40TM65DGC9 - IGBT, 17 A, 1.65 V, 39 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 17A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+269.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
RGT40TM65DGC9 RGT40TM65DGC9 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT40TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FLD 650V 17A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 39 W
товар відсутній