RGT40NS65DGC9 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 154.85 грн |
| 10+ | 125.28 грн |
| 100+ | 101.32 грн |
| 500+ | 93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT40NS65DGC9 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 58 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-262, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns, Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 40 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 161 W.
Інші пропозиції RGT40NS65DGC9 за ціною від 102.86 грн до 172.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT40NS65DGC9 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications. |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|