RGT20NL65GTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 61.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGT20NL65GTL ROHM
Description: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RGT20NL65GTL за ціною від 50.08 грн до 166.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGT20NL65GTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 20A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263AB IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 106 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RGT20NL65GTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RGT20NL65GTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 20A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263AB IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 106 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RGT20NL65GTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 10A Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|