![RGSX5TS65HRC11 RGSX5TS65HRC11](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO247-40.jpg)
RGSX5TS65HRC11 ROHM
![rgsx5ts65hr-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROHM - RGSX5TS65HRC11 - IGBT, 114 A, 1.7 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 114A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 290.94 грн |
5+ | 285.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGSX5TS65HRC11 ROHM
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns, Switching Energy: 3.32mJ (on), 1.9mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 79 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 114 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 404 W.
Інші пропозиції RGSX5TS65HRC11 за ціною від 299.09 грн до 658.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RGSX5TS65HRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns Switching Energy: 3.32mJ (on), 1.9mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 79 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 114 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 404 W |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RGSX5TS65HRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|