RGS30TSX2HRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 267 W
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 267 W
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 325.82 грн |
30+ | 250.59 грн |
120+ | 232.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS30TSX2HRC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns, Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 41 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 267 W.
Інші пропозиції RGS30TSX2HRC11 за ціною від 234.9 грн до 544.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RGS30TSX2HRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RGS30TSX2HRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor | IGBT Transistors 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Automotive Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RGS30TSX2HRC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGS30TSX2HRC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 267W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|