RGS30TSX2GC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 327.01 грн |
| 39+ | 312.96 грн |
| 50+ | 301.04 грн |
| 100+ | 280.44 грн |
| 250+ | 251.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS30TSX2GC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGS30TSX2GC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 267W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RGS30TSX2GC11 за ціною від 223.92 грн до 470.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGS30TSX2GC11 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RGS30TSX2GC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 267W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGS30TSX2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 41 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 267 W |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGS30TSX2GC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|