![RGS00TS65EHRC11 RGS00TS65EHRC11](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4ce0de181fe8deae9ba8ad1d5bec4c25c292a9b7/to-247.jpg)
RGS00TS65EHRC11 Rohm Semiconductor
![rgs00ts65ehr-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans IGBT Chip N-CH 650V 88A 326000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 409.39 грн |
31+ | 391.8 грн |
50+ | 376.88 грн |
100+ | 351.08 грн |
250+ | 315.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS00TS65EHRC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 113 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns, Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 58 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 326 W.
Інші пропозиції RGS00TS65EHRC11 за ціною від 325.96 грн до 496.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RGS00TS65EHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 113 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/115ns Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 58 nC Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 326 W |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
RGS00TS65EHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
RGS00TS65EHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3 Mounting: THT Turn-on time: 70ns Turn-off time: 299ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 163W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 58nC Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
RGS00TS65EHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3 Mounting: THT Turn-on time: 70ns Turn-off time: 299ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 163W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 58nC Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A |
товар відсутній |