![RGP02-20E-E3/73 RGP02-20E-E3/73](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/27/112;DO204AL,DO-41;;2.jpg)
RGP02-20E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![rgp02.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 2KV 500MA DO204AL
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2000 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 18.12 грн |
6000+ | 16.53 грн |
9000+ | 15.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGP02-20E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 2KV 500MA DO204AL, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2000 V.
Інші пропозиції RGP02-20E-E3/73 за ціною від 14.04 грн до 49.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RGP02-20E-E3/73 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 0.5A; Ifsm: 20A; DO41; Ufmax: 1.8V; 300ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 2kV Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Max. forward impulse current: 20A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 50µA Reverse recovery time: 300ns |
на замовлення 2107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RGP02-20E-E3/73 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 0.5A; Ifsm: 20A; DO41; Ufmax: 1.8V; 300ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 2kV Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Max. forward impulse current: 20A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.8V Leakage current: 50µA Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RGP02-20E-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2000 V |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RGP02-20E-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 93309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RGP02-20E-E3-73 |
на замовлення 24485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
RGP02-20E-E3/73 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
RGP02-20E-E3/73 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |