Продукція > ON SEMICONDUCTOR > RFP50N06
RFP50N06

RFP50N06 ON Semiconductor

3674777080711762rfp50n06.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFP50N06 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 131W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Можливі заміни RFP50N06 ON Semiconductor

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFP50N06LE RFP50N06LE
Код товару: 189268 		Виробник : JSMICRO JSM50N06C_TO-220AB.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 141 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+49 грн
10+ 44.5 грн
Мінімальне замовлення: 2

Інші пропозиції RFP50N06 за ціною від 59.17 грн до 174.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1600+73.8 грн
4000+ 71.32 грн
8000+ 69.6 грн
Мінімальне замовлення: 1600
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : Harris Corporation FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
278+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 278
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+132.51 грн
10+ 116.28 грн
100+ 100.05 грн
500+ 81.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
87+141.92 грн
99+ 124.53 грн
115+ 107.15 грн
500+ 87.15 грн
Мінімальне замовлення: 87
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+150.7 грн
10+ 128.07 грн
100+ 106.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : onsemi / Fairchild RFP50N06_D-2319913.pdf MOSFETs TO-220AB N-CH POWER
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+157.18 грн
10+ 131.41 грн
100+ 95.93 грн
500+ 81.83 грн
800+ 70.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : onsemi rfp50n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 21509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.71 грн
50+ 122.74 грн
100+ 101 грн
500+ 80.2 грн
1000+ 68.05 грн
2000+ 64.64 грн
5000+ 61.19 грн
10000+ 59.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+162.3 грн
89+ 137.93 грн
107+ 114.76 грн
Мінімальне замовлення: 76
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003589218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+174.09 грн
10+ 134.52 грн
100+ 111.57 грн
500+ 77.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RFP50N06 Виробник : ON-Semicoductor FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw rfp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+73.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
RFP50N06 RFP50N06
Код товару: 25146 		Виробник : FS RFP50N06.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
RFP50N06 RFP50N06
Код товару: 182599 		Виробник : Harris FAIRS45482-1.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RFP50N06 RFP50N06 Виробник : ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RFP50N06
Код товару: 182601 		Виробник : ON FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw rfp50n06-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Монтаж: THT
товар відсутній