RFD4N06LSM9A Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 67132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 533+ | 40.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFD4N06LSM9A Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 5V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V.
Інші пропозиції RFD4N06LSM9A за ціною від 45.23 грн до 45.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RFD4N06LSM9A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD4N06LSM9A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 67132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|