RFD14N05LSM ON Semiconductor
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFD14N05LSM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - RFD14N05LSM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RFD14N05LSM за ціною від 17.59 грн до 76.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFD14N05LSM | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RFD14N05LSM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RFD14N05LSM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RFD14N05LSM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
на замовлення 54229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RFD14N05LSM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET TO-252AA N-Ch Power |
на замовлення 12247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RFD14N05LSM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RFD14N05LSM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD14N05LSM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RFD14N05LSM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| RFD14N05LSM | Виробник : Fairchild Semiconductor |
MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA |
на замовлення 444 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| RFD14N05LSM | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 14A 50V 48W 0.1Ω RFD14N05LSM smd TRFD14N05lsm кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
 |
RFD14N05LSM Код товару: 21982 |
Виробник : Intersil |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-252AA Uds,V: 50 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
RFD14N05LSM Код товару: 119555 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|