RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RF4L040ATTCR за ціною від 20.38 грн до 87.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4L040ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 2739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4L040ATTCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4L040ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 30 V |
на замовлення 5994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4L040ATTCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -60V -4A Power, DFN2020, MOSFET |
на замовлення 719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4L040ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4L040ATTCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RF4L040ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RF4L040ATTCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 2W; DFN2020-8S Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-8S Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 89mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RF4L040ATTCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 2W; DFN2020-8S Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-8S Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 89mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |