![RF4E110BNTR RF4E110BNTR](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/b32729bcef4de90b0e752575a4d4f85996ce19e6/huml2020l8.jpg)
RF4E110BNTR Rohm Semiconductor
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1112+ | 10.85 грн |
1154+ | 10.45 грн |
1177+ | 10.25 грн |
2000+ | 9.79 грн |
6000+ | 8.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4E110BNTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V.
Інші пропозиції RF4E110BNTR за ціною від 15.39 грн до 50.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RF4E110BNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RF4E110BNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RF4E110BNTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RF4E110BNTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V |
товар відсутній |