RF4E080BNTR

RF4E080BNTR Rohm Semiconductor


rf4e080bn-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 5500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
629+19.19 грн
632+ 19.09 грн
774+ 15.57 грн
1000+ 14.05 грн
2000+ 12.92 грн
3000+ 11.71 грн
Мінімальне замовлення: 629
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E080BNTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RF4E080BNTR за ціною від 12.6 грн до 53.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : Rohm Semiconductor rf4e080bn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
521+23.18 грн
540+ 22.34 грн
1000+ 21.61 грн
2500+ 20.22 грн
Мінімальне замовлення: 521
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-8S
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+31.54 грн
64+ 13.33 грн
176+ 12.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-8S
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.85 грн
64+ 16.61 грн
176+ 15.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.42 грн
10+ 41.22 грн
100+ 28.52 грн
500+ 22.36 грн
1000+ 19.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 7262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.38 грн
10+ 46.4 грн
100+ 27.9 грн
500+ 23.26 грн
1000+ 19.82 грн
3000+ 17.01 грн
6000+ 16.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товар відсутній