RF4E070BNTR1

RF4E070BNTR1 Rohm Semiconductor


rf4e070bntr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1062+11.35 грн
1278+ 9.43 грн
1287+ 9.37 грн
2000+ 9 грн
3000+ 8.29 грн
Мінімальне замовлення: 1062
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E070BNTR1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.022 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RF4E070BNTR1 за ціною від 10.61 грн до 45.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF4E070BNTR1 RF4E070BNTR1 Виробник : ROHM rf4e070bntr-e.pdf Description: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.022 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.5 грн
500+ 15.3 грн
1000+ 10.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
RF4E070BNTR1 RF4E070BNTR1 Виробник : Rohm Semiconductor rf4e070bntr-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
333+36.22 грн
347+ 34.76 грн
500+ 33.51 грн
1000+ 31.26 грн
2500+ 28.09 грн
Мінімальне замовлення: 333
RF4E070BNTR1 RF4E070BNTR1 Виробник : ROHM rf4e070bntr-e.pdf Description: ROHM - RF4E070BNTR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.022 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+45.1 грн
24+ 33.04 грн
100+ 20.5 грн
500+ 15.3 грн
1000+ 10.61 грн
Мінімальне замовлення: 18