Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4C100BCTCR
RF4C100BCTCR

RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor

rf4c100bctcr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 5290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
518+23.53 грн
520+ 23.43 грн
541+ 22.52 грн
1000+ 20.45 грн
2000+ 18.75 грн
3000+ 17.3 грн
Мінімальне замовлення: 518
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RF4C100BCTCR за ціною від 18.52 грн до 62.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4c100bctcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
396+30.74 грн
413+ 29.51 грн
500+ 28.44 грн
1000+ 26.53 грн
2500+ 23.84 грн
Мінімальне замовлення: 396
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.35 грн
10+ 48.87 грн
100+ 33.84 грн
500+ 26.53 грн
1000+ 22.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Виробник : ROHM Semiconductor rf4c100bctcr_e-1873069.pdf MOSFETs Pch -20V -10A Middle Power MOSFET (Dimension: 2.0x2.0(t=0.6))
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.35 грн
10+ 53.79 грн
100+ 32.36 грн
500+ 27.04 грн
1000+ 23.07 грн
3000+ 18.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
RF4C100BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4c100bctcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
товару немає в наявності
RF4C100BCTCR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RF4C100BCTCR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
товару немає в наявності