RE1L002SNTL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RE1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 17542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 4.38 грн |
| 1000+ | 2.74 грн |
| 5000+ | 2.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RE1L002SNTL ROHM
Description: ROHM - RE1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RE1L002SNTL за ціною від 2.74 грн до 29.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RE1L002SNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RE1L002SNTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V |
на замовлення 45841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RE1L002SNTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RE1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RE1L002SNTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RSM002N06T2L |
на замовлення 56926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RE1L002SNTL |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| RE1L002SNTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RE1L002SNTL SMD N channel transistors |
товар відсутній |