RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.96 грн |
| 6000+ | 4.56 грн |
| 9000+ | 3.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RE1C002ZPTL за ціною від 5.02 грн до 27.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RE1C002ZPTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RE1C002ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RE1C002ZPTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V |
на замовлення 11049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RE1C002ZPTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RE1C002ZPTL SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
RE1C002ZPTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RZM002P02T2L |
товар відсутній |